Mitsuru Takenaka 研究室
主宰者:Mitsuru Takenaka
東京大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、光集積回路と次世代メモリ・計算デバイスを融合させた研究に取り組んでいます。光信号を処理する高速フォトディテクタや光変調器、光位相シフタといった光学素子を、シリコンやゲルマニウム、インジウムリン系の微細加工材料を用いて開発しています。特に、複数の光信号を同時に検出・制御する集積化デバイスの実現や、波長多重化による大規模光演算システムの構築を目指しており、通信速度やエネルギー効率の向上を実現しています。
同時に、鉄電性材料を用いた新型メモリおよび計算デバイスの開発も進めています。鉄電性電界効果トランジスタなどの素子を通じて、材料の分極動作が示す非線形性と時間応答特性を活用し、時系列データの処理に必要な低消費電力な計算システムを実現しています。材料特性の詳細な測定法の開発や、動作時の信頼性向上、複数デバイスの組み合わせによる処理能力の拡張など、実用化に向けた基礎的課題に取り組んでいます。
これらの研究を通じて、従来の電子回路では実現困難な高速・省電力な情報処理プラットフォームの実現を目指しており、光通信、センシング、エッジコンピューティングなど多様な応用への道を開いています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
外部リンク
関連研究室(8 件)
- 物理学・天文学Susumu Noda 研究室京都大学論文 100 件·共通: 電子工学, 通信, 電気・電子, 光学 +11
- 工学Takanori Sato 研究室北海道大学論文 105 件·共通: 集積回路, 電子工学, 通信, 電気・電子 +7
- 工学Saulius Juodkazis 研究室東京工業大学論文 100 件·共通: 通信, 電気・電子, エネルギー, 光学 +8
- 工学Atsushi Yamashita 研究室東京大学論文 185 件·共通: 通信, 電気・電子, 材料工学, 材料 +7
- 工学Akinori Saeki 研究室大阪大学論文 100 件·共通: エネルギー, 光学, 光学・プラズマ, 材料工学 +6
- エネルギーXue Han 研究室筑波大学論文 100 件·共通: エネルギー, 光学, 光学・プラズマ, 材料工学 +6
- 物理学・天文学Akira Hirose 研究室東京大学論文 164 件·共通: 通信, 電気・電子, 材料工学, 材料 +5
- 工学Kuniaki Konishi 研究室東京大学論文 132 件·共通: 光学, 光学・プラズマ, 物理学, システム +6
研究成果(100 件)
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsphotonics.5c03082
- [2026] Substrate-voltage-controlled temporal nonlinearity in ferroelectric FET-based reservoir computingDOI: https://doi.org/10.1063/5.0329212
- DOI: https://doi.org/10.23919/oecc/psc62146.2025.11109915
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/ade199
- DOI: https://doi.org/10.1364/cleo_si.2025.ss181_3
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ada6bf
- DOI: https://doi.org/10.1109/siphotonics64386.2025.10984851
- DOI: https://doi.org/10.1109/siphotonics64386.2025.10985637
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/adb163
- DOI: https://doi.org/10.1126/sciadv.aea3538
続きを表示(残り 90 件)閉じる
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-025-65984-6
- DOI: https://doi.org/10.1109/ipc65510.2025.11282019
- DOI: https://doi.org/10.1109/ipc65510.2025.11282352
- [2025] Reliable Operation of FeFET Reservoir Computing With Robustness Against Interface DegradationDOI: https://doi.org/10.1109/ted.2025.3620321
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecoc66593.2025.11263386
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecoc66593.2025.11263031
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.n-6-01
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.a-3-01
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.b-4-03
- [2025] Polarization current-based reservoir computing utilizing an anti-ferroelectric-like HfZrO2 capacitorDOI: https://doi.org/10.1063/5.0255149
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/adb4fa
- [2025] Voltage-operating reservoir computing utilizing ferroelectric-FET source follower configurationsDOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/adb295
- DOI: https://doi.org/10.1364/ome.568607
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/adfae1
- DOI: https://doi.org/10.23919/oecc/psc62146.2025.11111422
- DOI: https://doi.org/10.1109/iedm50854.2024.10873474
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.e-3-04
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.b-1-02
- [2024] Role of charge injection/de-trapping in imprint behavior of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 thin filmDOI: https://doi.org/10.1063/5.0212368
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2024.3434782
- [2024] Reservoir Computing Utilizing a Complementary Combination of <i>n</i>- and <i>p</i>-Channel FeFETsDOI: https://doi.org/10.1109/led.2024.3435422
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad9f70
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad983b
- [2024] (Invited) Mobility Enhancement Technology of Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator Channel MosfetsDOI: https://doi.org/10.1149/ma2024-02322290mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0233899
- [2024] TIA-less Optical Power Monitor Using InGaAs/Si Hybrid Phototransistor and On-chip Si ResistorDOI: https://doi.org/10.1109/ipc60965.2024.10799823
- DOI: https://doi.org/10.1380/vss.67.545
- DOI: https://doi.org/10.17023/nrvc-ry16
- DOI: https://doi.org/10.1364/ol.538924
- [2024] (Invited) Mobility Enhancement Technology of Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator Channel MosfetsDOI: https://doi.org/10.1149/11402.0003ecst
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.a-6-03
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.b-5-02
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.a-6-04
- DOI: https://doi.org/10.1109/led.2024.3410378
- DOI: https://doi.org/10.1109/jlt.2024.3408877
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-024-47893-2
- DOI: https://doi.org/10.1109/jlt.2024.3392471
- DOI: https://doi.org/10.1109/irps48228.2024.10529344
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2024.3386508
- DOI: https://doi.org/10.1109/jlt.2024.3383724
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad2133
- DOI: https://doi.org/10.1364/ofc.2024.tu3f.6
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acb829
- DOI: https://doi.org/10.23919/vlsitechnologyandcir57934.2023.10185295
- [2023] Hole Mobility Boosters of (110)-Oriented Extremely Thin Body SiGe-on- Insulator (SGOI) pMOSFETsDOI: https://doi.org/10.1109/ted.2023.3279306
- DOI: https://doi.org/10.1364/oe.504866
- DOI: https://doi.org/10.1049/icp.2023.2098
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10102996
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0150296
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acbb89
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/acd6d6
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2023.3235865
- DOI: https://doi.org/10.1049/icp.2023.1839
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acb362
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acb1bd
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2023.3264814
- DOI: https://doi.org/10.1364/cleo_si.2023.sf3e.1
- DOI: https://doi.org/10.1364/iprsn.2023.im3a.1
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad189b
- [2023] (Invited) Physical Understanding of HfZrO<sub>2</sub>/Si FeFET Memory and Its AI ApplicationsDOI: https://doi.org/10.1149/ma2023-02301523mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2023-02301516mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2023-02301515mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad15e3
- DOI: https://doi.org/10.1109/iedm45741.2023.10413840
- DOI: https://doi.org/10.1002/lpor.202300279
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2023.3318870
- DOI: https://doi.org/10.1149/11201.0037ecst
- [2023] (Invited) Physical Understanding of HfZrO<sub>2</sub>/Si FeFET Memory and Its AI ApplicationsDOI: https://doi.org/10.1149/11201.0065ecst
- DOI: https://doi.org/10.1109/icicdt59917.2023.10332331
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.h-7-04
- [2023] Improvement in HZO FeFET-based Reservoir Computing Capacities through Operating Voltage OptimizationDOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.k-6-05
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.k-1-02
- DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6463/acee09
- DOI: https://doi.org/10.1109/nano58406.2023.10231231
- DOI: https://doi.org/10.1109/cleo/europe-eqec57999.2023.10232014
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.2c15369
- DOI: https://doi.org/10.1364/ome.473987
- [2022] Numerical Investigation of High-Speed Surface-Normal Modulator Using InP High-Contrast GratingDOI: https://doi.org/10.23919/islc52947.2022.9943427
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2022-02321180mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2022-02321237mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1149/10904.0047ecst
- DOI: https://doi.org/10.1149/10904.0351ecst
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/aca59c
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2022.a-10-04
- DOI: https://doi.org/10.1149/10904.0059ecst
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-022-35206-4
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2022.3215667
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2022.3214797
- DOI: https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019420
- DOI: https://doi.org/10.1007/s00339-022-06212-6
科研費(0 件)
まだデータがありません(KAKEN 取り込み後に表示)。
所属学会・役職(0 件)
まだデータがありません(学会データ連携後に表示)。