Masafumi Shirai 研究室
主宰者:Masafumi Shirai
東北大学・Spintronics Research Network of Japan
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、磁性材料の物性を理論計算と実験の両面から解明し、次世代のスピントロニクス デバイス応用に適した新規材料の開発を目指しています。特に、多元素合金やトポロジカル材料など複雑な磁性系を対象とし、原子配置の微細な変化が磁気的・電子的性質にいかに影響するかを調査しています。磁気トンネル接合という磁気ナノデバイスの中核となる構造において、大きな磁気抵抗効果を生み出す材料設計の原理を追究することが主要なテーマです。
研究手法としては、第一原理計算による電子構造や磁性の理論予測、機械学習を用いた材料探索、そして薄膜作製と磁気特性評価の実験を組み合わせています。特に結晶成長時の原子配置制御や、界面での電子相互作用の詳細な解析に力を入れており、角度分解光電子分光などの高度な測定手法も活用しています。これらのアプローチにより、室温で安定に機能する強磁性体や、スピン偏極度の高い合金材料を系統的に探索・評価しています。
主な発見として、特定の多元素合金が高い磁気モーメントと優れた機械的強度を同時に示すこと、界面効果により材料の磁気的性質が予測以上に増強される可能性、および不規則性に強い安定な磁性相構造が存在することが報告されています。これらの知見は、より高性能で耐久性に優れたスピントロニクスメモリの実現に向けた材料開発の指針となっています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(28 件)
- DOI: https://doi.org/10.1103/pw88-4llt
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsnano.5c12920
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2025.173157
- DOI: https://doi.org/10.1080/14686996.2024.2421746
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.7.104410
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.108.014431
- DOI: https://doi.org/10.1109/intermagshortpapers58606.2023.10228824
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.107.134439
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2023.169450
- DOI: https://doi.org/10.1063/9.0000564
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2023.170362
- DOI: https://doi.org/10.1109/lmag.2023.3320888
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.106.245131
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0128562
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41535-022-00474-2
- DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac73c1
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2022.103604
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsaelm.2c00049
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2021.168841
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.103.l020402
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevapplied.16.054052
- DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac3dab
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.161122
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.159175
- DOI: https://doi.org/10.1088/1361-648x/abdffc
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