Liyang Liao 研究室
主宰者:Liyang Liao
東京大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、電子の軌道角運動量とスピン角運動量を利用した次世代デバイスの開発を目指しています。特に、従来は結晶場の効果により消失すると考えられていた軌道角運動量が、実は固体内で活発に機能することを発見し、電流や光によるこれらの角運動量の生成・輸送・制御を研究しています。軽い元素を用いた効率的な磁化制御や、新しい情報伝達・読み出し方法の実現を目標としています。
研究手法としては、薄膜デバイスの設計と測定、第一原理計算による電子状態解析、テラヘルツ分光などの超高速測定を組み合わせています。特に表面弾性波やマグノン(磁気振動)などのクワジ粒子と電子の相互作用に注目し、人工格子構造による波の制御や非相反応答の観測を行っています。反強磁性体を対象とした研究も多く、これまで読み出しが困難だった反強磁性材料からの大きな信号検出にも成功しています。
論文横断的には、スピン軌道相互作用や対称性破れを活用した非相反現象の発見、および新奇な角運動量輸送メカニズムの解明が共通のテーマとなっています。これらの成果は、消費電力が低く高速動作する磁気メモリやロジックデバイス、エネルギーハーベスティング応用への道を開くものとなっています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(35 件)
- DOI: https://doi.org/10.1117/12.3099476
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0312956
- DOI: https://doi.org/10.1038/s42005-026-02540-8
- DOI: https://doi.org/10.1103/lfvn-bppq
- DOI: https://doi.org/10.1002/aelm.202500511
- DOI: https://doi.org/10.1103/18st-mj1y
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-025-61602-7
- DOI: https://doi.org/10.1126/sciadv.adt6084
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.111.104401
- DOI: https://doi.org/10.1002/adma.202402063
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- DOI: https://doi.org/10.1038/s44306-024-00052-1
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.4c08159
- DOI: https://doi.org/10.1126/sciadv.ado2504
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevlett.132.056704
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-024-51440-4
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-024-48391-1
- DOI: https://doi.org/10.1126/sciadv.adk7935
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevlett.131.176701
- DOI: https://doi.org/10.1002/adfm.202304454
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41928-022-00825-8
- DOI: https://doi.org/10.1002/adma.202205988
- DOI: https://doi.org/10.1002/aelm.202200593
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-022-31531-w
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevlett.128.197202
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.105.155122
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.105.104434
- DOI: https://doi.org/10.1002/qute.202100138
- [2021] Narrow-Band Semiconductor Heterostructures for Efficient Spintronic Memory Device ApplicationsDOI: https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720593
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.104.104401
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-021-23414-3
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0041062
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41563-021-00946-z
- DOI: https://doi.org/10.1002/anie.202101069
- DOI: https://doi.org/10.1002/ange.202101069
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