Koji Eriguchi 研究室

主宰者：Koji Eriguchi
京都大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

Eriguchi研究室は、半導体製造プロセスにおけるプラズマの影響を系統的に研究しています。特に、プラズマ処理時に材料内部に生じる欠陥（プラズマプロセス誘起ダメージ）に着目し、シリコンやシリコン窒化物、酸化物などの薄膜材料がどのように劣化するかを調べています。プラズマからの高エネルギーイオン衝撃により、材料内に点欠陥やダングリングボンドなどが生成され、これが電気特性や機械特性の低下につながることを明らかにしています。 研究では、複数の実験手法を組み合わせた総合的な評価を行っています。分光エリプソメトリーやインピーダンス分光法を用いた電気特性測定、ナノインデンテーション法による機械特性評価、時間分解レーザー誘起蛍光分光法によるプラズマ診断などです。これらの手法により、プラズマ材料相互作用を多角的に理解し、欠陥の空間分布やエネルギー準位を定量的に抽出しています。 さらに、窒化ホウ素などの新材料のプラズマ合成や、次世代デバイス実現に向けたプラズマプロセスの最適化にも取り組んでいます。数値シミュレーションと実験データを組み合わせることで、プラズマが誘起する物質変化のメカニズムを解明し、超低リーク電流デバイスやMOS構造など実デバイス応用への知見を蓄積しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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