Keiichiro Urabe 研究室
主宰者:Keiichiro Urabe
京都大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、プラズマと材料の相互作用メカニズムの解明と、それに基づく材料損傷の評価手法の開発を行っています。特に、半導体デバイス製造プロセスで使用されるプラズマ環境下において、酸化膜や窒化膜などの絶縁膜がどのようにダメージを受けるのか、そして素子の性能低下につながる欠陥がどのように生成されるのかを調べています。これらは、デバイスの微細化が進む現代の電子工業において避けて通れない課題です。
計測・評価手法の開発に力を入れており、インピーダンス分光法やレーザー分光技術、分光エリプソメトリーなどを組み合わせて、材料内の欠陥分布やプラズマパラメータをその場(その時間に)測定しています。また、ボロンナイトライドやシリコン窒化膜など様々な薄膜材料について、プラズマ処理による機械的・光学的・電気的性質の変化を系統的に調べ、物理モデルに基づいて損傷メカニズムを明らかにしています。さらに、高スループット膜製造を実現する新規プラズマ源の開発にも取り組んでおり、プロセス条件とイオン供給特性の関係を解析しています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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関連研究室(8 件)
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研究成果(37 件)
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- DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6587/ae1412
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0273133
- DOI: https://doi.org/10.1116/6.0004606
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/add601
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2025.132190
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0254990
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2024-02201792mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.m-2-02
- DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad6faf
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- DOI: https://doi.org/10.1109/tps.2024.3417896
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad4a7e
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0200138
- DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6595/ad1f38
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acc7ae
- DOI: https://doi.org/10.1116/6.0002181
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac87e1
- [2022] Quantitative evaluation of plasma-damaged SiN/Si structures using bias-dependent admittance analysisDOI: https://doi.org/10.1063/5.0085042
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac5d16
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0077147
- [2022] Characterization of Plasma Process-Induced Low-Density Defect Creation by Lateral Junction LeakageDOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2022.3176321
- DOI: https://doi.org/10.23919/iwjt52818.2021.9609500
- DOI: https://doi.org/10.1109/irps46558.2021.9405190
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