Hiroaki Tatsumi 研究室

主宰者：Hiroaki Tatsumi
大阪大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

## 研究の問い この研究室は、半導体パワーモジュールやパワーデバイスの接合・実装技術に関する問題に取り組んでいます。特に、次世代のSiCやGaN素子が高温動作を必要とする一方で、従来のはんだ接合では耐熱性や信頼性が不足する点を課題としています。また、マイクロLEDや3次元回路などの熱に敏感なデバイスの低温実装、接合部の微細化に対応する新たな接合材料・プロセスの開発を目指しています。 ## 手法と主要な発見 研究は多角的なアプローチを採用しており、走査電子顕微鏡やナノインデンテーション試験による微視的評価、有限要素法シミュレーション、さらに分子動力学計算や密度汎関数理論といった計算手法を組み合わせています。銀ナノ粒子焼結体、銅ナノ粒子焼結体、低融点はんだ合金、金属間化合物接合など複数の接合技術を検討しており、表面修飾によるナノ粒子の核生成制御、イオン照射によるスズの結晶方位制御、孔隙構造と機械特性の関連性の解明など、微構造を精密に制御することで接合強度や熱伝導率、クリープ耐性の向上を達成しています。これらの知見は、高温・高信頼性の実装技術確立に向けた基礎となっています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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