Noriaki Hanasaki 研究室

主宰者：Noriaki Hanasaki
東北大学・Spintronics Research Network of Japan

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、物質内の電子が示す異常な輸送現象と電子構造を調べることを主要な研究テーマとしています。特に、反転対称性や時間反転対称性が破れた磁性金属や半導体に着目し、これらが大きな磁気抵抗効果、非相反的な電気伝導、異常ネルンスト効果など、従来の材料にはない特異な応答を示す仕組みを明らかにしようとしています。 研究手法としては、単結晶試料の電気抵抗や磁気抵抗を極低温・強磁場下で測定する一方で、中性子散乱やX線吸収分光、光学分光などを組み合わせることで、材料の磁気構造や電子状態、原子位置の揺らぎを詳細に調査しています。また、理論計算や統計力学的解析と実験結果を照らし合わせることで、観測現象の物理的メカニズムを解釈しています。 これまでの研究から、方解晶や四角形格子を持つ材料系において、対称性の破れがもたらす電子バンド構造の非対称性が、巨大な磁気抵抗や磁場方向依存的な輸送特性の源となることが明らかになってきました。さらに、分子結晶や高エントロピー合金など多様な材料系でも同様の現象を見出しており、これらの材料の基礎科学的理解を進めつつ、機能性材料としての応用可能性を探索しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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