Susumu Yamamoto 研究室
主宰者:Susumu Yamamoto
東北大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、物質の表面や界面における電子状態と化学反応を原子・分子レベルで理解することを目指しています。主に放射光施設のX線光電子分光法を用いて、反応が進行している状態をリアルタイムで観察する「その場測定」を実施しています。大気圧下での測定も可能にする技術開発を進めており、実際の触媒作用や材料の使用条件に近い環境での研究が特徴です。
研究対象は多岐に渡り、グラフェンや二次元材料などの炭素系物質の電子状態、二酸化炭素の水素化反応による化学品合成、金属酸化物ナノシートによるメタンの活性化など、エネルギー変換や化学品製造に関わる現象を扱っています。また、半導体パッケージの金属膜と樹脂の接着メカニズムなど、材料工学的な応用課題にも取り組んでいます。
これらの研究では、X線分光測定と計算化学(密度汎関数法)を組み合わせることで、反応の中間体がいかに形成され、どのような電子状態変化が起きているかを明らかにしています。得られた知見は、より効率的な触媒設計や新規材料開発に向けた基礎情報として活用されることを目指しています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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関連研究室(8 件)
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研究成果(34 件)
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.carbon.2026.121862
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsomega.5c04196
- DOI: https://doi.org/10.1080/23311908.2025.2524938
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5c06134
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.5c04876
- DOI: https://doi.org/10.1021/jacs.5c10679
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.stem.2025.05.007
- DOI: https://doi.org/10.1109/ectc51687.2025.00340
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/adbda8
- DOI: https://doi.org/10.1080/14686996.2024.2439781
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- DOI: https://doi.org/10.1039/d5cp03538d
- DOI: https://doi.org/10.1136/jitc-2024-sitc2024.0269
- DOI: https://doi.org/10.1109/estc60143.2024.10712082
- DOI: https://doi.org/10.1029/2023jg007769
- DOI: https://doi.org/10.1380/vss.67.117
- DOI: https://doi.org/10.1136/jitc-2023-sitc2023.0268
- DOI: https://doi.org/10.7791/jspmee.12.291
- DOI: https://doi.org/10.1002/cphc.202300477
- DOI: https://doi.org/10.1002/admi.202300258
- DOI: https://doi.org/10.23919/icep58572.2023.10129739
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.6.104607
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.2c10700
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.2c00295
- DOI: https://doi.org/10.1080/08940886.2022.2082168
- [2022] Functionalization of the MoS2 basal plane for activation of molecular hydrogen by Pd depositionDOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.153313
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.152797
- DOI: https://doi.org/10.1007/s43673-021-00026-z
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.1c07110
- DOI: https://doi.org/10.1109/icip42928.2021.9506257
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.1c03584
- [2021] Band Bending of n-GaN under Ambient H<sub>2</sub>O Vapor Studied by X-ray Photoelectron SpectroscopyDOI: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.0c11174
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.0c10525
- DOI: https://doi.org/10.1380/ejssnt.2021.20
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