Kensaku Maeda 研究室

主宰者：Kensaku Maeda
東北大学・Institute for Materials Research, Tohoku University

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室では、結晶の固液界面における成長現象を対象とし、その動的挙動を解明することに取り組んでいます。特にシリコンおよびシリコン・ゲルマニウム合金の方向凝固過程に注目し、異なる結晶面における成長メカニズムの違いを調べています。さらに多結晶シリコンの粒界や転位といった結晶欠陥が固液界面の成長に及ぼす影響についても研究対象としています。 研究手法としては、加熱・冷却装置を備えた専用システムを用いた直接観察が重要な役割を果たしています。顕微鏡観察により、成長過程でのインターフェース形態や温度勾配の影響をリアルタイムで記録し、現象を可視化します。同時に、理論計算や数値シミュレーション（密度行列繰り込み群法やモンテカルロ法など）を組み合わせることで、原子スケールから数マイクロメートルスケールまでの現象を多角的に解析しています。また、分光測定法を用いて結晶構造の局所的な違いを調査する研究も実施しています。 主な知見として、粗い固液界面では成長速度と過冷却度の間に線形関係が成立することが示されており、温度勾配の増加に伴い成長速度が低下する傾向が明らかになっています。結晶面の方位による成長挙動の相違や、より簡便な製造方法による半導体薄膜の成長についても検討されており、これらの基礎研究は太陽電池などの実用的な応用につながる可能性があります。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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