Wataru Norimatsu 研究室

主宰者：Wataru Norimatsu
名古屋大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、炭化ケイ素（SiC）基板上に成長させたグラフェンを中心材料として、その結晶成長、電子物性、および応用開発に取り組んでいます。特に、グラフェンとSiC基板の間に形成される界面領域に注目し、この二次元空間での新しい現象や機能の探索を行っています。水素挿入やインターカレーション（層間に物質を挿入する手法）を利用して、バッファー層の変換機構を解明したり、界面構造を原子スケールで制御したりすることで、電子構造の精密な制御を実現しています。 研究手法としては、原子間力顕微鏡や角度分解光電子分光などの分析手法を用いた構造解析とともに、光学特性の測定を通じた物性評価を行っています。さらに、エピタキシャル成長技術により、ミリメートルスケールの大型サンプル作製に成功し、実用材料としての可能性を開いています。 応用面では、グラフェンを遷移金属ダイカルコゲナイドなどの二次元材料の成長基板として活用する研究を展開しています。また、固体電解質との界面反応を制御することで、全固体電池のアノード材料として機能させ、高速充放電特性を実現する取り組みも進めています。これらの研究を通じ、既存材料の限界を超える新規デバイスの開発を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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