H. Takahashi 研究室

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

研究成果（21 件）

• [2026] Exploring Design Guidelines of AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes Toward High-Power, High-Efficiency Microwave Rectification
  DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2026.3667498
• [2025] Impact of a Moderately Doped Contact Layer on Breakdown Voltage in AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes for Microwave Rectification
  DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2025.3530870
• [2025] Proposal of AlGaN/GaN Gated-Anode Diode Model Incorporating Internal HEMT Structure for Loss Analysis Toward Efficient Microwave Rectification
  DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2025.3581168
• [2025] A 2.4 GHz-Band Amplifier with β-Ga ₂ O ₃ MESFET Fabricated by Mist CVD Method
  DOI: https://doi.org/10.1109/apmc65046.2025.11378554
• [2025] Enhanced RF Performance of Dual-Gate GaN HEMTs
  DOI: https://doi.org/10.1109/apmc65046.2025.11379693
• [2025] Safe and cost-effective mist CVD as a homoepitaxial growth technology to fabricate β-Ga₂O₃ RF MESFETs
• [2025] High-Efficiency Rectification Characteristics at 2.4 GHz With AlGaN/GaN GADs for Microwave WPT
  DOI: https://doi.org/10.1109/lmwt.2024.3522057
• [2025] Safe and cost-effective mist CVD as a homoepitaxial growth technology to fabricate <i>β</i> -Ga ₂ O ₃ RF MESFETs
  DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae0907
• [2025] AlGaN/GaN Dual‐Gate HEMT Using a High Al Mole Fraction and Thin Barrier Layer
  DOI: https://doi.org/10.1049/ell2.70194
• [2024] Improvement of Gate Length Dependence in Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Dual-Gate HEMTs
  DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2024.3430889

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