Takeru Kumabe 研究室

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

研究成果（17 件）

• [2025] Characterization of Quaternary Al _x Ga _1−(x+y) In _y N ( <i>x</i>  ≈ 0.5 and <i>y</i>  ≤ 0.12) Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth Focusing on Unintentionally Incorporated Impurities
  DOI: https://doi.org/10.1002/pssb.202500028
• [2025] Characteristics of 2DEG generated at the heterointerface of an AlN/GaN structure grown on an AlN substrate using metal organic vapor phase epitaxy
  DOI: https://doi.org/10.1063/5.0255068
• [2024] Demonstration of AlGaN-on-AlN p-n Diodes With Dopant-Free Distributed Polarization Doping
  DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2024.3367314
• [2023] Electron lifetime and diffusion coefficient in dopant-free p-type distributed polarization doped AlGaN
  DOI: https://doi.org/10.1063/5.0180062
• [2023] Droop and light extraction of InGaN-based red micro-light-emitting diodes
  DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad0b88
• [2023] Junction Diameter Dependence of Oscillation Frequency of GaN IMPATT Diode Up to 21 GHz
  DOI: https://doi.org/10.1109/led.2023.3285938
• [2023] Hole mobility limiting factors in dopant-free p-type distributed polarization-doped AlGaN
  DOI: https://doi.org/10.1063/5.0155363
• [2023] Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current–voltage characteristic
  DOI: https://doi.org/10.1063/5.0146080
• [2023] 15 GHz GaN Hi–Lo IMPATT Diodes With Pulsed Peak Power of 25.5 W
  DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2023.3345822
• [2022] Shockley–Read–Hall Lifetime in p-type Distributed-Polarization Doped AlGaN Estimated from Current–Voltage Characteristics of p-n&lt;sup&gt;+&lt;/sup&gt; Diode
  DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2022.j-1-01

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