Atsushi Tsurumaki‐Fukuchi 研究室

主宰者：Atsushi Tsurumaki‐Fukuchi
北海道大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室では、電子デバイスの小型化と高機能化に向けて、ナノスケールの構造制御と電気特性の関連性を調べています。一つの主要テーマは、金属ナノ粒子が自己組織的に配列した構造を用いた単一電子素子の開発です。このデバイスでは、電子が一個ずつ通過する際のクーロン相互作用による特異な電気振動（クーロン封鎖）を利用して、複数の入出力端子を持つ新型計算素子の実現を目指しています。膜厚やゲート電圧の制御を通じて、この現象の挙動を系統的に調べることで、応用に向けた基礎を築いています。 もう一つの重要なテーマは、強い電子相互作用を持つ酸化物薄膜における電流駆動型の金属—絶縁体転移です。特にカルシウムルテニウム酸化物薄膜を対象に、結晶格子歪みや金属イオン拡散の効果を詳細に解析し、非熱的な転移メカニズムの制御を進めています。これにより、従来困難とされた高速で安定した抵抗値切り替えを実現し、次世代メモリ素子への応用を検討しています。さらに、タンタル酸化物などの無定形酸化物における電界駆動型のイオン移動を原子スケールで直接観察することで、ニューロモルフィック機能を持つ抵抗切り替え素子の物理メカニズム解明にも取り組んでいます。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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