Takuya Hoshii 研究室

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

研究成果（100 件）

• [2026] High-Quality PVD-WS ₂ Thin Films via H ₂ S Annealing Enabling Suppression of S-S Bonds
  DOI: https://doi.org/10.1109/edtm65772.2026.11497821
• [2026] Oxygen-Passivated (O-PAS) Interfacial Layer for Ultra-Scaled (CET 0.97 nm) High-k Gate Stacks
  DOI: https://doi.org/10.1109/edtm65772.2026.11497498
• [2026] Interpretation of ferroelectric behavior in AlScN films with TiN and Ta bottom electrodes
  DOI: https://doi.org/10.1063/5.0312701
• [2026] On the enhancement of capacitive memory window for ferroelectric AlScN films using metal-capping oxidation (MCO) process
  DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae760a
• [2026] Mitigating Intrinsic Fixed-Charge-Induced $\mathrm{V}_{\text{f b}}$ Fluctuation Using a “Neutral $\text{TiO}_{2}$ Dipole” Layer
  DOI: https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir65830.2026.11577365
• [2026] Polarity control of sputter-deposited wurtzite AlScN thin films by AlSc seed layer
  DOI: https://doi.org/10.1063/5.0326833
• [2026] Zirconium disulfide film improved by hydrogen-sulfide annealing at BEOL-compatible temperature with less surface residual sulfur
  DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae361b
• [2026] Polarity-dependent asymmetric switching of ferroelectric AlScN thin films
  DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae4863
• [2026] Ferroelectric switching of AlBN films formed by pulse CVD method
  DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae8454
• [2026] Area and polarity-dependent switching in AlScN ferroelectric capacitors
  DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae4a2f

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