Shigeki Nakagawa 研究室

主宰者：Shigeki Nakagawa
東京工業大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、磁性薄膜の物性制御と高周波応用を中心に研究を展開しています。特に電力変換回路で必要とされるインダクタなどの高周波磁気デバイスに向けて、ナノ粒子構造を持つ軟磁性膜や磁気異方性を有する膜の設計・製造方法を開発しています。スパッタリングや電気メッキなどの薄膜作成技術により、高い周波数特性と低い損失を両立させた磁性材料の実現を目指しています。 計測・評価技術も重要な研究対象です。ダイヤモンド中の窒素空孔欠陥を量子センサとして活用し、磁性膜の磁化応答を直接画像化する手法を開発しました。従来の光学的手法では観察困難であった磁区構造や磁化過程を、数100キロヘルツから数メガヘルツの広い周波数範囲で非破壊に可視化できます。また磁歪層との複合構造を用いることで、圧力を磁場に変換して検出するセンサへの応用も進めています。 さらに、磁気ランダムアクセスメモリなどの次世代磁気デバイスに向けて、スピン軌道トルクによる磁化制御の研究も行っています。これらの取り組みを通じて、高性能な磁気デバイスの実現に向けた材料科学的および物理的な基礎を構築しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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