Hiroshi Yano 研究室

主宰者：Hiroshi Yano
筑波大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

Hiroshi Yano研究室は、次世代パワーデバイスとして注目されている炭化珪素（SiC）製のMOSFET（電界効果トランジスタ）の性能向上と信頼性確保に関する研究を行っています。特に1.2kVレベルのSiC MOSFETを対象として、実験と数値シミュレーションの両面から、デバイスが過酷な電気的ストレス（短絡や逆バイアス）にどのように対応するかを詳細に調査しています。 短絡時の動作メカニズムの解明が研究の中心の一つです。短絡試験やアバランシェ試験（無制限誘導スイッチングテスト）を用いて、ゲート酸化膜の破壊、金属層の融融、熱応力による機械的損傷など、複数の故障モードを実験的に特定し、シミュレーション分析で物理的背景を明らかにしています。並行して、オン抵抗と短絡耐量のトレードオフ特性を最適化する構造設計や、銅ブロック挿入などの熱管理手法による性能向上を検討しています。 さらに、ゲート界面トラップの形成や閾値電圧の変化などMOSFETの経年劣化に関する研究、およびSiC結晶の歪みが電子移動度に与える影響についても、計算科学的アプローチで調べています。これらの基礎的な理解を通じて、より高い信頼性と効率を有するパワーデバイスの実現を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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