T. Yamaguchi 研究室

主宰者：T. Yamaguchi
筑波大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、ダイヤモンドの優れた半導体特性を活かした電子素子の開発に取り組んでいます。特に、水素終端されたダイヤモンド表面に六方晶ホウ化窒素を絶縁膜として用いた電界効果トランジスタの性能向上を目指しており、表面粗さの低減や空気露出の防止といった製造工程の最適化を通じて、高いキャリア移動度の達成に成功しています。また、自己整列型ゲート電極の開発により、寄生容量や漏れ電流の課題にも対応しています。 同時に、ダイヤモンド内に存在する窒素空孔欠陥の量子特性に関する研究も展開しており、特に浅い位置に形成された単一欠陥のスピン状態を光学的に制御・検出する技術を開発しています。水素終端表面は表面欠陥が少ないため、長いスピンコヒーレンス時間が得られることが知られており、この特性は量子磁気センサーなどの応用に有望です。結晶品質の向上と欠陥の適切な形成が課題であり、本研究室ではダイヤモンド結晶成長の制御を通じてこれらの課題解決に取り組んでいます。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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