T. Meguro 研究室

主宰者T. Meguro
広島大学

AI 要約(直近 5 年の研究成果)

本研究室は、炭化ケイ素(SiC)と呼ばれる化合物半導体を用いた高温・放射線耐性の電子素子・回路開発に取り組んでいます。従来のシリコンでは動作が難しい300℃を超える極限環境や、放射線が存在する宇宙・原子力施設などの過酷な条件下で長期間にわたり安定に機能する集積回路の実現を目指しています。 主な研究対象は、SiC製のトランジスタ(MOSFET)やこれを用いた増幅回路、画像センサーです。金属とSiC間の接合特性や、酸化膜表面における不純物の挙動といった素材レベルの課題から、回路全体の信頼性評価まで、多角的にアプローチしています。特に高温長時間運用時における特性変化や劣化メカニズムを、電気測定や顕微鏡観察などの手法で調査し、素子設計の最適化につなげています。 加えて、紫外線検出用の光センサーや、負電子親和力を示す光電陰極に関する研究も行われており、新しい表面現象の解明を通じて、より高性能な光学素子の開発を支援しています。これらの成果は、地上では実現困難な環境での電子機器の実用化に貢献する基盤技術となります。

※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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