Mitsuharu Uemoto 研究室

主宰者：Mitsuharu Uemoto
神戸大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、物質内での電子の動きやエネルギー状態を原子レベルで計算する第一原理計算（量子力学に基づく計算手法）を用いて、次世代の電子デバイスや光学デバイスの開発に必要な物質設計に取り組んでいます。特に、グラフェンなどの二次元材料と磁性合金の接合面における電子輸送特性や磁気特性、炭化珪素と酸化珪素の界面における電子散乱の仕組みなど、ナノスケールの界面現象を理論的に解明することが主要なテーマです。 研究室では複数の実験・解析手法を組み合わせています。密度汎関数理論（DFT）による原子構造と電子状態の計算、時間依存密度汎関数理論（TDDFT）を用いた光と物質の相互作用の解析、さらには超並列計算機を活用した大規模シミュレーションなど、高度な計算技術を駆使しています。これらの研究から、界面の原子配置が電子の流れやエネルギー損失に大きく影響すること、および材料に適切な構造変化を加えることで電子輸送特性を向上させられることが明らかになっています。 こうした知見は、スピントロニクスデバイスや単一分子トランジスタ、次世代の不揮発性メモリなど、実用的な電子デバイスの設計・開発へ応用される可能性を持っています。同時に、レーザーを用いたダイヤモンド欠陥の制御や超高速光学応答の研究も進めており、光と物質の相互作用を活用した新しいデバイス開発も視野に入れています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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