Akira Endoh 研究室
主宰者:Akira Endoh
東京理科大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
赤堀研究室は、半導体材料を用いた光電子デバイスの開発に取り組んでいます。特に、赤外線領域での光検出や発光に適した化合物半導体(アンチモン系やインジウム・ガリウム系材料など)を対象として、その物性制御と応用を探求しています。
研究では、分子線エピタキシーなどの薄膜成長技術により、ナノサイズの量子構造や高性能なトランジスタ構造を製作しています。同時に、透光性導電膜や新規な接合構造の設計を通じて、光を検出するデバイス性能を高める工夫を行っています。さらに、時間領域の測定技術を活用して、複数の発光成分が重なった信号を分離し、各々の性質を詳細に調べる方法も開発しています。
これらの研究から、チャネルに加わる機械的ストレスの最適化による電子輸送特性の向上、および短波長赤外領域での高い光応答性を持つ検出器の実現が報告されています。将来的には、シリコン集積回路との統合を視野に入れた、光通信用途向けの高機能デバイスの実現を目指しています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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関連研究室(8 件)
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研究成果(13 件)
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- DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.202300659
- DOI: https://doi.org/10.1002/pssa.202200529
- [2022] Schottky barrier contact on In0.53Ga0.47As with short-wave infrared transparent conductive oxideDOI: https://doi.org/10.1063/5.0129445
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2022-01291282mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1109/csw55288.2022.9930363
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0065776
- DOI: https://doi.org/10.1380/vss.64.74
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