Mohd Syamsul 研究室
主宰者：Mohd Syamsul
早稲田大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
Mohd Syamsul研究室は、次世代の電力変換デバイスと電子機器に用いられる窒化ガリウム（GaN）や関連ワイドバンドギャップ材料の性能向上を目指しています。特に、高電子移動度トランジスタ（HEMT）と呼ばれる高速・高電力密度の半導体素子に焦点を当て、デバイス動作時の破壊耐圧の低下や接触抵抗の増加といった課題に対応する研究を進めています。
これらの課題に対して、コンピュータシミュレーション手法を活用した詳細な物理モデリングと、実験的な製造・評価を組み合わせたアプローチを採用しています。デバイス構造の最適化（ゲート電極の形状、ドープ層の配置など）や材料組成の改善について、シミュレーションソフトウェアを用いた検討と実験による検証を行っています。
さらに同研究室では、GaNデバイスの高感度センシング応用に関する研究も展開しており、HEMTの特性を活用した生体分子検出や水質・土壌汚染物質の検出センサーの開発に取り組んでいます。シリコンナノワイヤやナノギャップ構造、金ナノ粒子による表面修飾を組み合わせ、pH測定から食品・農業関連物質の検出まで、実用的なセンシングデバイスの実現を目指しています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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- DOI: https://doi.org/10.1109/ipfa65338.2025.11256504
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- DOI: https://doi.org/10.1109/led.2022.3175473
- DOI: https://doi.org/10.3390/mi12121497
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