Jun Tsunoda 研究室

主宰者：Jun Tsunoda
早稲田大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、次世代パワーデバイスの材料として注目されるダイヤモンドを用いた電子素子の開発に取り組んでいます。研究の中心は、ダイヤモンド表面の水素終端により形成される二次元正孔ガスという電子状態を利用した電界効果トランジスタの実現です。高い耐熱性と耐圧性を備えたデバイスの設計・製造を通じて、既存のシリコンを超える性能を持つ電子部品の創製を目指しています。 具体的には、垂直構造を持つトランジスタにトレンチゲート（溝状の電極）を組み込む手法を採用し、デバイスの小型化と大電流動作の両立を実現しています。ダイヤモンド基板の不純物濃度やデバイス層の厚さなど、構造パラメータが電流特性に与える影響を系統的に調査し、最適な設計条件の探索を進めています。近年の成果として、低い電気抵抗値と高い耐圧特性を同時に達成するデバイスの報告がなされており、将来のハイブリッド電動車やパワーコンディショナーなど、電力制御が必要な応用への展開が期待されます。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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