Akio Wakejima 研究室

主宰者：Akio Wakejima
熊本大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

Wakejima研究室は、窒化ガリウム（GaN）を用いた高周波・高出力半導体デバイスの開発と性能向上に取り組んでいます。特に、マイクロ波帯の無線電力伝送や通信システムに用いられる高電子移動度トランジスタ（HEMT）を中心に、デバイス構造の最適化や新しい基板材料の探索を進めています。単一ゲート構造と比較して性能に優れた双ゲート構造の設計、アルミニウムを含むAlGaN層の組成や厚さの改善など、材料的・構造的な工夫を通じてトランジスタの高周波特性や効率を向上させています。 また、GaNデバイスの整流素子への応用も重要な研究テーマです。トランジスタの構造を活用した新型の整流ダイオード（ゲート付きアノードダイオード）を開発し、マイクロ波信号を直流電力に変換する効率向上に成功しています。同時に、シミュレーション技術を駆使してデバイス内の損失メカニズムを詳細に分析し、さらなる性能向上のための設計指針を提供しています。 基板材料の観点からも、従来のSiC基板に加えて、より安価なシリコン基板やGaN単結晶基板の活用を検討し、デバイスの高性能化と低コスト化の両立を目指しています。加熱時の温度安定性や電気特性の評価を通じて、実用的な応用に向けた基礎研究を展開しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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