Naoko Inoue 研究室

この研究室は、異なる半導体材料を組み合わせた集積回路技術を用いて、光通信用のレーザーデバイスの高性能化に取り組んでいます。具体的には、インジウムリン（InP）系の増幅素子とシリコン（Si）系の導波路を同一チップ上に統合する「ヘテロジニアス集積」という手法を採用し、広い波長帯域で動作する可調波長レーザーの実現を目指しています。 現在の成果として、複数の異なる波長帯域で動作する単一チップレーザーを実現しています。このレーザーは、広い波長調整範囲（100ナノメートル以上）をカバーしながら、同時に出力光の純度の高さ（狭いスペクトル線幅）を保つという相反する性能を両立させています。このアプローチにより、光ファイバー通信システムで求められる複数の波長帯域に対応できるシンプルで効率的なレーザー光源の実現が期待されます。 これらの研究は、将来の大容量光通信インフラや次世代の光集積回路システムに必要となる基盤技術の開発に寄与しています。