Keisuke Kawamura 研究室

主宰者：Keisuke Kawamura
東京都市大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室では、電子デバイスの性能向上と社会インフラの安全性向上を目指した複数の研究テーマに取り組んでいます。 第一の柱は、窒化ガリウム（GaN）などの化合物半導体と立方晶シリコンカーバイド（3C-SiC）、ダイヤモンドを組み合わせた高機能電子デバイスの開発です。これらの材料を積層して高周波トランジスタを製造し、その熱特性や電気特性を測定・評価しています。特に、熱伝導率の向上と温度安定性の確保が課題であり、材料の積層方法や膜厚設計の最適化を通じて改善を進めています。さらに、レーザーを用いた非接触測定法により、これら複合材料の熱物性を高精度で評価する手法も展開しています。 第二の柱は、鉄筋コンクリート構造物の耐震補強に関する研究です。特に、既存の建造物に後付けで施工できるせん断補強鉄筋の効果を、実験と三次元数値解析の両面から検討しています。実大規模の試験体を用いた載荷実験により破壊メカニズムを明らかにしながら、数値計算モデルによって内部のひび割れや応力分布を予測することで、補強設計の精度向上を図っています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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