Hisashi Inoue 研究室

主宰者：Hisashi Inoue
順天堂大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

井上寿研究室は、強誘電体や酸化物半導体などの機能性材料における電気的・熱的応答の制御と解明に取り組んでいます。特に、鉛ジルコン酸チタン酸化膜の焦電特性（温度変化に応答して電気を発生する特性）に対する直流電界の影響や、電気・熱カロリック効果（電界の印加時の温度変化）の微視的メカニズムを調べています。さらに、二層構造や複合酸化物材料における電子輸送特性の制御も研究対象です。 イオンゲート・トランジスタやプロトン動力学を利用したデバイスの開発も行われています。これらは、電気化学的な挿入・刻食や陰イオン・陽イオンの緩やかな拡散を活用して、秒から分単位の長いタイムスケールで抵抗が可逆的に変化する特性を示します。このような遅い応答時間は、神経形態計算（生物の脳の情報処理を模倣する計算）や生体信号のリアルタイム予測への応用を可能にします。 さらに、研究室ではSrTiO₃などの酸化物材料における極低温でのミリ波計測や、カゴメ格子構造を持つ遷移金属化合物の電子構造研究も進めています。これらの多角的なアプローチにより、材料の物性理解と新しいデバイスへの展開を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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