Makoto Takamiya 研究室
主宰者：Makoto Takamiya
東京大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
当研究室は、電力変換に用いられるパワー半導体素子（IGBT、SiC MOSFETなど）の駆動・制御技術に関する研究を展開しています。特に、ゲート駆動回路の動作を細かく制御することで、スイッチング時の損失と電流・電圧の過渡現象のバランスを改善することを目指しています。デジタル信号処理を活用して、複数の段階で駆動強度を変更する手法や、素子の特性に応じて駆動パラメータを自動最適化する技術を開発しており、実験検証やIC設計を通じてこれらを実装しています。
並行して、素子の劣化診断と保護に関する研究も行われています。ゲート電圧波形や電流センサからの信号を機械学習で分析し、ボンドワイヤーの剥離や過電流といった故障状態を検出する方法を提案しています。これらの検出機能をゲートドライバICに統合することで、外付けセンサを不要にして低コスト化を実現しています。
さらに、新規モータ駆動やワイヤレス給電など、パワー半導体応用システムの拡張にも取り組んでいます。高パルス電流駆動モータやエネルギーハーベスティングシステムなど、多様なアプリケーションに向けた集積回路設計・システム統合を行い、実用化を目指しています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（55 件）
- DOI: https://doi.org/10.1109/tcsi.2025.3590373
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.pedc.2025.100106
- DOI: https://doi.org/10.23919/ispsd62843.2025.11118118
- DOI: https://doi.org/10.1109/apec48143.2025.10977236
- DOI: https://doi.org/10.1109/apec48143.2025.10977508
- DOI: https://doi.org/10.23919/icems60997.2024.10921201
- DOI: https://doi.org/10.23919/icems60997.2024.10921259
- DOI: https://doi.org/10.1109/access.2024.3427643
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecce55643.2024.10861188
- DOI: https://doi.org/10.1109/tpel.2024.3462535
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- DOI: https://doi.org/10.1109/ipemc-ecceasia60879.2024.10567599
- DOI: https://doi.org/10.1109/ipemc-ecceasia60879.2024.10567703
- DOI: https://doi.org/10.1109/tpel.2024.3383666
- DOI: https://doi.org/10.1109/ipemc-ecceasia60879.2024.10567357
- DOI: https://doi.org/10.1109/apec48139.2024.10509445
- DOI: https://doi.org/10.1587/elex.21.20230627
- DOI: https://doi.org/10.1109/spec62217.2024.10893268
- DOI: https://doi.org/10.23919/icems60997.2024.10921414
- DOI: https://doi.org/10.1109/cicc57935.2023.10121290
- DOI: https://doi.org/10.1109/access.2023.3237266
- DOI: https://doi.org/10.1109/tcsi.2023.3340681
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.pedc.2023.100054
- DOI: https://doi.org/10.1109/spec56436.2023.10407469
- DOI: https://doi.org/10.1109/asicon58565.2023.10396300
- DOI: https://doi.org/10.1109/tpel.2023.3259521
- DOI: https://doi.org/10.1109/tcsi.2023.3320745
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.pedc.2023.100052
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- DOI: https://doi.org/10.1109/tpel.2023.3279674
- DOI: https://doi.org/10.23919/icpe2023-ecceasia54778.2023.10213558
- DOI: https://doi.org/10.1109/access.2023.3296429
- DOI: https://doi.org/10.1109/jssc.2022.3183174
- [2022] Estimation of Both Junction Temperature and Load Current of IGBTs from Output Voltage of Gate DriverDOI: https://doi.org/10.23919/ipec-himeji2022-ecce53331.2022.9806885
- DOI: https://doi.org/10.1109/apec43599.2022.9773623
- DOI: https://doi.org/10.1109/spec55080.2022.10058332
- [2022] Two Stop-and-Go Gate Driving to Reduce Switching Loss and Switching Noise in Automotive IGBT ModulesDOI: https://doi.org/10.1109/spec55080.2022.10058383
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecce50734.2022.9947890
- DOI: https://doi.org/10.1109/ispsd49238.2022.9813669
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.l-5-01
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- DOI: https://doi.org/10.1109/tie.2021.3084169
- DOI: https://doi.org/10.23919/ispsd50666.2021.9452225
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecce-asia49820.2021.9479379
- DOI: https://doi.org/10.1109/tpel.2021.3058207
- [2021] IEEE SSCS Distinguished Lecturer Makoto Takamiya Gives a Talk at the Switzerland Chapter [Chapters]DOI: https://doi.org/10.1109/mssc.2021.3072260
- DOI: https://doi.org/10.23919/vlsicircuits52068.2021.9492440
- DOI: https://doi.org/10.1109/tia.2021.3124864
- DOI: https://doi.org/10.1587/elex.18.20210405
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecce47101.2021.9595264
- DOI: https://doi.org/10.1109/tcsi.2021.3111100
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