T. Mizutani 研究室
主宰者:T. Mizutani
東京大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、シリコン系のトランジスタ(電子回路の基本部品)が極低温環境でどのように動作するかを実験的に調べています。特に、量子コンピュータの制御回路に必要とされる摂氏マイナス272度(1.5K)付近での特性変動に注目しており、室温では見られない異常な現象を発見しています。大規模なトランジスタアレイを用いた精密測定により、個々のデバイスの電気的特性を詳細に把握する手法を開発してきました。
さらに、将来の量子コンピュータの集積度向上を目指して、シリコン量子ドット(単一電子を制御できる微細な領域)を三次元的に積層した素子の開発に取り組んでいます。下層と上層のドット特性を個別に制御する方法を実現し、CMOS互換プロセスを用いた多層デバイスの実証に成功しています。これらの研究は、極低温での素子動作メカニズムの解明と次世代量子デバイスの実現を両輪で進めるものとなっています。
加えて、酸化物系の微細トランジスタやゲートオールアラウンド構造など、異なる材料・構造のデバイスについても、スケーリング可能性と変動特性を評価しています。これらの研究成果は、量子コンピュータ実装に向けた周辺電子回路の信頼性確保と、超微細デバイスの物理的メカニズムの理解に貢献しています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(42 件)
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae34bc
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae3c22
- DOI: https://doi.org/10.23919/iwjt66253.2025.11072888
- DOI: https://doi.org/10.1109/irps48204.2025.10983654
- DOI: https://doi.org/10.1109/icmts63811.2025.11068907
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm61175.2025.11040950
- DOI: https://doi.org/10.23919/snw65111.2025.11097243
- DOI: https://doi.org/10.23919/snw65111.2025.11097266
- DOI: https://doi.org/10.23919/snw65111.2025.11097254
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- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2025.3588498
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.a-4-02
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.ps-09-07
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2024.3473888
- DOI: https://doi.org/10.1109/icmts59902.2024.10520700
- DOI: https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46783.2024.10631493
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.a-6-02
- DOI: https://doi.org/10.1109/icsict62049.2024.10831809
- DOI: https://doi.org/10.36463/idw.2024.0176
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad9482
- DOI: https://doi.org/10.1109/icmts55420.2023.10094106
- DOI: https://doi.org/10.23919/snw57900.2023.10183968
- [2022] Single Device MOSFET Series Resistance Extraction Methods: Comparison Between Newer and OlderDOI: https://doi.org/10.1109/icmts50340.2022.9898270
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- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2021.3108854
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-6-09
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-1-06
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw51795.2021.00010
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw51795.2021.00006
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw51795.2021.00007
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