Tsunenobu Kimoto 研究室
主宰者：Tsunenobu Kimoto
京都大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
本研究室は、次世代パワー半導体として注目される炭化ケイ素（SiC）の電子デバイス化に向けた基礎・応用研究を展開しています。特に、SiCをトランジスタやダイオードなどの電子部品に加工する際に生じる界面の電気的性質や物質的特性を詳細に調べることに力を注いでいます。研究対象は、金属とSiCの接触部分、酸化膜とSiCの界面、およびイオン注入によって導入される不純物周辺の領域など、デバイス動作を左右する微小な領域です。
具体的には、電界効果トランジスタ（MOSFET）の電気特性を系統的に測定し、キャリア（電気を運ぶ粒子）の移動度や閾値電圧といった性能指標が、界面の欠陥密度や電荷分布にどのように影響されるかを調査しています。さらに、SiCの結晶軸方向による物理的異方性に着目し、異なる面方位で作製したデバイスの性能比較や、高温での動作特性評価も行っています。これらの知見から、SiC電子デバイスの設計指針となる物理モデルを構築し、実用的なデバイス特性予測を目指しています。
このアプローチにより、室温から高温領域にわたる広い条件下でのデバイス動作メカニズムを解明し、SiCを用いた高効率・低損失の次世代パワーデバイスの実現に貢献することが目標です。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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