Takafumi Fukushima 研究室

主宰者：Takafumi Fukushima
東北大学・Tohoku University Hospital

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、半導体パッケージングにおける次世代の接合・積層技術を中心に研究を進めています。具体的には、ダイ（チップ）をウェーハに直接接合する「ダイ・ツー・ウェーハ」および「ウェーハ・ツー・ウェーハ」の接合プロセス開発に取り組んでいます。特に銅と誘電体を同時に接合する「ハイブリッド接合」や、キャリアテープからの直接転送による精密接合などの新しい接合方法を開発し、ナノメートル単位の高精度な位置合わせを実現しています。これらの技術により、複数のチップレットを効率よく統合する次世代の半導体パッケージング実現を目指しています。 加えて、接合界面の品質評価や信頼性向上に関する研究も重要なテーマです。プラズマ処理後の表面劣化メカニズムの解明、接合強度の測定手法開発、シンクロトロン放射光を用いた微視的な欠陥検査など、多角的なアプローチで接合界面を評価しています。さらに、柔軟性が求められるウェアラブルデバイスや生体センサ向けの薄膜接合技術、低温での接合プロセス開発も行っており、応用分野の拡大にも注力しています。これらの研究を通じて、AI機器やデータセンターに必要とされる高密度で信頼性の高い半導体パッケージング技術の確立を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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