Nobuya Mori 研究室

主宰者：Nobuya Mori
大阪大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室では、半導体デバイスにおける電子の輸送現象を理論計算とコンピュータシミュレーションにより解明する研究を行っています。特に、シリコンカーバイト（SiC）やガリウムナイトライド（GaN）といった次世代電力デバイスに用いられるワイドギャップ半導体、およびグラフェンなどの二次元材料を対象としています。これらの材料における電子の状態や移動性、トンネル効果など、デバイス性能に直結する電子物性を詳細に調べることが研究の基本課題です。 解析手法としては、経験的バンド構造計算法やモンテカルロシミュレーション、第一原理計算など複数のアプローチを組み合わせています。特に、結晶の異方性や表面構造、ランダムな電位変動といった現実的な効果を計算に組み込むことで、実験との対応をとっています。また、機械学習を用いた電場計算の高速化なども進めており、より大規模で複雑なデバイス構造の解析が可能になってきています。 これらの研究を通じて、応力印加時の電子特性の変化、界面構造がもたらす局在効果、不純物散乱とキャリア移動度の関係性など、実用的なデバイス設計に必要な知見を得ています。将来の高効率・高性能デバイス開発に向けた、微視的な物理現象の理解に貢献しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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