M. Yamada 研究室
主宰者:M. Yamada
大阪大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
M. Yamada研究室では、半導体スピントロニクスの実現を目指し、強磁性材料と半導体の複合構造を設計・製造する研究を展開しています。特にゲルマニウムやシリコン・ゲルマニウム混晶といったシリコン系半導体と、コバルトベースのホイスラー合金などの強磁性材料を積層した構造を対象としています。これらの異種材料の界面制御を通じて、電子のスピン(磁気的な性質)を効率的に注入・輸送・検出することを目指しています。
研究室の主要な手法は、分子線エピタキシーなどの結晶成長技術と、スピン輸送測定や磁気抵抗測定といった物理特性評価です。特に(111)結晶面に着目し、高品質な強磁性材料を成長させることで、より効率的なスピン注入を実現しようとしています。同時に、加工による格子歪みの制御やドーピング技術により、結晶品質を向上させ、デバイス化の障害となる亀裂生成の抑制に成功しています。
これらの取り組みの結果、室温でのスピン信号の検出や発光デバイスの動作が報告されており、シリコンフォトニクスやスピンLED、磁気抵抗メモリなど、次世代の光・磁気デバイス実現への応用が期待されています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(40 件)
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- DOI: https://doi.org/10.1103/3fss-8m7c
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.111.l081301
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108299
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad9d4f
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.m-5-05
- [2024] Al–Ge-paste-induced liquid phase epitaxy of Si-rich SiGe(111) for epitaxial Co-based Heusler alloysDOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108232
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108140
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108300
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- DOI: https://doi.org/10.1109/intermagshortpapers58606.2023.10228652
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.108.094441
- DOI: https://doi.org/10.1107/s2053273323084528
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevlett.131.076702
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107763
- DOI: https://doi.org/10.1109/intermagshortpapers58606.2023.10305060
- DOI: https://doi.org/10.1002/aelm.202300045
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107987
- [2022] (Digital Presentation) Strong Room-Temperature EL Emissions from Strained Sige/Ge-on-Si (111) LEDsDOI: https://doi.org/10.1149/ma2022-02321226mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/aca751
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2022-02321212mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2022-02321222mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1149/10904.0197ecst
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevapplied.18.024005
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126766
- DOI: https://doi.org/10.1557/s43577-022-00351-0
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.105.195308
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126672
- DOI: https://doi.org/10.1109/tmag.2022.3145393
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0061504
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0048321
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0045233
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0035323
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.104.115301
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