Masahiro Hara 研究室

主宰者：Masahiro Hara
大阪大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、半導体デバイスの性能と信頼性を決める金属と半導体の接合面の物理的性質を解明する研究に取り組んでいます。特に、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）、酸化ガリウムなどのワイドバンドギャップ半導体と金属電極の界面に形成される電荷トラップや欠陥に焦点を当てています。これらの材料は次世代の省エネルギーパワー半導体や高周波デバイスとして注目されており、その性能向上が急務です。 研究手法としては、キャパシタンス-電圧特性測定やX線光電子分光法などの電気的・化学的特性評価と、トンネル現象の数値計算モデルを組み合わせています。特に、酸化膜との界面に形成される酸素化ガリウム層の挙動や、異なる温度・圧力での熱処理がトラップ密度に与える影響を系統的に調査しています。 主な知見として、低温での絶縁膜堆積や適切な熱処理条件により、GaNやGa₂O₃などの材料で界面トラップ密度を大幅に削減できることが報告されています。また、重ドープ半導体では従来の理論では説明できないトンネル伝導が支配的であり、この現象を正確にモデル化することでオーミック接点の形成指針を提案しています。これらの成果は、次世代パワー半導体デバイスの高性能化と高信頼性化に貢献する基礎的知見となります。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

外部リンク

関連研究室(8 件)

研究成果（32 件）

続きを表示（残り 22 件）

科研費（0 件）

まだデータがありません（KAKEN 取り込み後に表示）。

所属学会・役職（0 件）

まだデータがありません（学会データ連携後に表示）。