Toshiro Hiramoto 研究室
主宰者：Toshiro Hiramoto
東京大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
本研究室は、半導体トランジスタと電力デバイスの性能・信頼性向上、ならびに次世代集積回路実現に向けた基礎研究を行っています。主な対象は、シリコンやシリコンカーバイドなどの材料を用いた高耐圧パワーデバイス、酸化物半導体を活用した新型トランジスタ、および量子コンピューティング用の極低温動作デバイスです。
デバイス設計では、シミュレーション技術（TCAD）を活用して電界分布や電圧耐性を最適化する手法を開発しています。特に電力用IGBTについては、ゲート制御の高度化や配線構造の改善により、スイッチング損失の低減と安全性向上の両立を目指しています。また酸化物半導体薄膜をALD（原子層成長法）で製造し、細線構造化することで、従来型シリコンデバイスより高い性能を持つトランジスタ開発を進めています。
さらに、低温環境でのデバイス動作特性を系統的に調査し、極低温での電気的揺らぎやノイズの物理機構を明らかにする研究も推進しています。これらの取り組みは、次世代の省電力・高性能な電子デバイスと、量子情報処理技術の実現に貢献することを目指しています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（100 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2026.3698815
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.ps-09-07
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae0775
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2025.3588498
- [2025] Demonstration of superior UIS robustness of 3300 V scaled IGBT by non-proportional scaling methodsDOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/adb5e3
- DOI: https://doi.org/10.23919/snw65111.2025.11097242
- DOI: https://doi.org/10.23919/snw65111.2025.11097254
- DOI: https://doi.org/10.23919/iwjt66253.2025.11072888
- DOI: https://doi.org/10.23919/ispsd62843.2025.11117441
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- DOI: https://doi.org/10.23919/ispsd62843.2025.11117454
- DOI: https://doi.org/10.1109/irps48204.2025.10983654
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm61175.2025.11040950
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/adac1f
- DOI: https://doi.org/10.23919/vlsitechnologyandcir65189.2025.11074932
- DOI: https://doi.org/10.23919/snw65111.2025.11097243
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae248a
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2025.3605574
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.m-8-04
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.a-4-02
- DOI: https://doi.org/10.36463/idw.2024.0176
- DOI: https://doi.org/10.1109/icsict62049.2024.10831809
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- DOI: https://doi.org/10.1109/ispsd59661.2024.10579686
- DOI: https://doi.org/10.1541/ieejeiss.144.245
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- DOI: https://doi.org/10.1109/irps48228.2024.10529363
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- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2024.3365150
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw63608.2024.10639209
- DOI: https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46783.2024.10631493
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.ps-02-02
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ada163
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad9482
- [2023] Superior Turn-Off dV/dt Controllability From Suppression of Dynamic Avalanche in 3300V Scaled IGBTsDOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2023.3342869
- DOI: https://doi.org/10.1109/icmts55420.2023.10094106
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103035
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103013
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad189f
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad11b8
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.n-4-02
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2023.3298308
- DOI: https://doi.org/10.23919/vlsitechnologyandcir57934.2023.10185234
- DOI: https://doi.org/10.23919/snw57900.2023.10183968
- DOI: https://doi.org/10.23919/snw57900.2023.10183979
- DOI: https://doi.org/10.1109/ispsd57135.2023.10147483
- [2023] Suppressed Dynamic Avalanche and Enhanced Turn-off dV/dt Controllability in 3300V Scaled IGBTsDOI: https://doi.org/10.1109/edtm55494.2023.10103121
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2022.g-6-07
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2022.g-1-05
- [2022] On the thickness dependence of the polarization switching kinetics in HfO2-based ferroelectricDOI: https://doi.org/10.1063/5.0098436
- DOI: https://doi.org/10.1109/led.2022.3184316
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw56633.2022.9889037
- DOI: https://doi.org/10.1109/ispsd49238.2022.9813656
- DOI: https://doi.org/10.2352/ei.2022.34.7.iss-258
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2022.3142046
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acac3c
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm53872.2022.9798185
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2022.3144623
- DOI: https://doi.org/10.1186/s40580-022-00342-6
- DOI: https://doi.org/10.1109/ectc51906.2022.00029
- [2022] Single Device MOSFET Series Resistance Extraction Methods: Comparison Between Newer and OlderDOI: https://doi.org/10.1109/icmts50340.2022.9898270
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/acac3b
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac3a8c
- DOI: https://doi.org/10.1109/asicon52560.2021.9620202
- [2021] Study on the Roles of Charge Trapping and Fixed Charge on Subthreshold Characteristics of FeFETsDOI: https://doi.org/10.1109/ted.2020.3048916
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c08208
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2021.3111145
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-7-04
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-8-04
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.b-6-01
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-6-06
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-6-09
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.a-1-06
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm50988.2021.9420922
- DOI: https://doi.org/10.1109/edtm50988.2021.9420934
- [2021] TCAD Validation of an Intercept-at-Zero-Gate-Length MOSFET Series Resistance Extraction MethodDOI: https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa51926.2021.9440119
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw51795.2021.00007
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw51795.2021.00006
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw51795.2021.00013
- DOI: https://doi.org/10.1109/snw51795.2021.00010
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/abe8a5
- DOI: https://doi.org/10.1380/vss.64.62
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- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2021.3133570
- DOI: https://doi.org/10.36463/idw.2021.0145
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac3eb7
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac3d0e
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac3a92
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