Keisuke Kakinouchi 研究室

本研究室は、次世代の電力素子として注目されている窒化ガリウム（GaN）結晶の製造技術と、それを用いた電子デバイスの開発に取り組んでいます。特に、ナトリウム溶液を用いた結晶成長法に着目し、大型で結晶欠陥が少ないGaN基板の製造を目指しています。この手法により、直径6インチを超える大口径のGaN結晶の成長に成功しており、実用的なデバイス製造に必要な材料供給の実現に向けて研究を進めています。 成長過程で発生する技術的課題の解決にも力を入れています。具体的には、成長時の温度変化に伴って結晶内に形成される不純物の混入や、その後の加工プロセスで生じる問題に対して、新たなコーティング技術を導入するなど、材料品質の向上に向けた手法を提案しています。これらの改善により、結晶の構造品質が向上し、より安定した性能を持つGaN基板の製造が可能になると期待されています。 製造したGaN基板を用いた縦型トランジスタの開発も進めており、高い耐圧性能と低いリーク電流を示すデバイスの実現に成功しています。こうした一連の研究を通じて、次世代パワーエレクトロニクスに不可欠な高性能GaN素子の実現に貢献することを目指しています。