Yi Shuang 研究室
主宰者：Yi Shuang
東北大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
Yi Shuang研究室では、次世代の不揮発性メモリや電子デバイスを実現するための材料開発と物性制御に取り組んでいます。主な研究対象は、遷移金属カルコゲン化物や層状物質などの低次元材料です。これらの物質がもつ結晶構造や電子状態を、スパッタリングや熱処理といった半導体産業で実用的な手法を使って精密に制御することで、電気的性質の大きな変化を引き出し、メモリデバイスとしての性能向上を目指しています。
研究の具体的な方向性は複数あります。一つは、従来型の非晶質から結晶質への相転移に代わる、結晶どうしの構造転換を利用した省エネルギーなメモリ動作の実現です。別の方向性として、これら材料の界面特性や電子輸送機構を、微視的なスケールから巨視的な性質まで多角的に調べることで、物質の動作原理を解明する基礎研究も進めています。さらに、電磁波吸収材料などの応用展開も行われており、幅広い機能性材料の設計に貢献しています。これらの研究を通じて、次世代デバイスの実用化に必要な材料知見を創出することが目標です。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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関連研究室(8 件)
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研究成果（38 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1002/pssr.202400430
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- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0266675
- [2024] Interfacial reaction behavior between ferromagnetic CoFeB and the topological insulator Sb2Te3DOI: https://doi.org/10.1016/j.surfin.2024.104486
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0190632
- DOI: https://doi.org/10.1039/d4mh00616j
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsnano.3c07960
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- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.m-5-01
- DOI: https://doi.org/10.1109/cleo-pr60912.2024.10676684
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c03574
- DOI: https://doi.org/10.2320/matertrans.mt-m2024062
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jmst.2024.05.039
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.powtec.2023.118670
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad13a7
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsanm.3c03521
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.actamat.2023.119209
- DOI: https://doi.org/10.1002/adma.202303646
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsanm.2c05251
- DOI: https://doi.org/10.2139/ssrn.4140204
- DOI: https://doi.org/10.3390/ijms24010504
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.est.2022.105722
- DOI: https://doi.org/10.3390/ijms23169362
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.154189
- DOI: https://doi.org/10.1002/pssr.202100641
- DOI: https://doi.org/10.1039/d2tc01281b
- DOI: https://doi.org/10.1039/d2ce00928e
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.149760
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-020-80301-5
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