Shunta Harada 研究室

主宰者：Shunta Harada
名古屋大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

## 研究の問い 本研究室は、炭化ケイ素（SiC）やダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体に含まれる結晶欠陥が、電力デバイスの性能や信頼性に及ぼす悪影響を解明・抑制することを主要なテーマとしています。特に、SiC電力デバイスで問題となる積層欠陥の展開や部分転位の運動による劣化メカニズム、また材料の品質を損なう様々な結晶欠陥の発生・成長機構を対象としています。 ## 手法 研究では、複数の補完的な手法を組み合わせています。非破壊的な観察手法として、偏光顕微鏡やX線回折、蛍光発光分光などを用いて欠陥を可視化・評価し、イオン注入や高温処理などによる欠陥導入・制御実験を行っています。一方、数値シミュレーション（相場モデルや流体解析）を用いて結晶成長プロセスや欠陥形成の機構を理論的に解明し、さらに機械学習を活用してシミュレーション計算の高速化を実現しています。 ## 主要な発見 複数の研究から、イオン注入により導入されたポイント欠陥が転位の運動を固定化し、積層欠陥の展開を抑制できることが示されています。同時に、キャリアライフタイムの短縮も欠陥の進行を抑える効果をもたらします。結晶成長プロセスでは、化学成分の不均一な分布が細胞状構造や包含物を引き起こすメカニズムが明らかになり、成長条件の最適化を通じた高品質化への道筋が示唆されています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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