Katsuaki Suganuma 研究室

主宰者：Katsuaki Suganuma
大阪大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、次世代パワー半導体（SiC、GaNなど）の信頼性向上を目指し、接合材料・接合プロセス・パッケージング構造の開発に取り組んでいます。特に、シリコンカーバイドチップと基板を接合する「ダイアタッチ材料」に焦点を当て、銀（Ag）や銅（Cu）の焼結接合技術を研究しています。従来の接合材料では高温での粒成長や電極迁移による劣化が課題であり、これに対して第2相粒子の添加やプロセス設計の工夫による改善策を検討しています。 具体的には、銀と銅の複合焼結体、銀とシリコンの異種材料接合、アルミニウムを添加した複合ペースト材など、様々な材料組成を提案し、微細構造の進化、機械的強度、熱可靠性を評価しています。測定手法としては、引張試験、せん断試験、走査電子顕微鏡、透過電子顕微鏡などの実験的特性評価に加え、分子動力学シミュレーションによる接合メカニズムの解析も行っています。さらに、パッケージ基板内の微細配線（マイクロビア）における銅めっき層のボイド成長機構や、樹脂封止後の接合界面の信頼性向上についても研究を展開しており、パワーモジュール全体の熱特性と長期信頼性の最適化を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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