Sihoon Choi 研究室
主宰者：Sihoon Choi
名古屋大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
Sihoon Choi研究室では、パワーエレクトロニクスの高性能化と高信頼性の実現に向けた研究に取り組んでいます。特に、次世代の電力制御デバイスであるシリコンカーバイト（SiC）パワーモジュールを対象として、電磁ノイズの低減、熱管理の改善、および回路の安定性向上といった課題に対処する設計手法と製造技術の開発を進めています。
研究手法としては、有限要素法シミュレーション、回路解析、磁場解析、および実試作による検証を組み合わせた統合的なアプローチを採用しています。モジュール内部の銅配線のレイアウト最適化、絶縁層の材料設計、巻線構造の工夫、および放熱経路の改善など、様々な視点から検討を行っています。
主要な研究成果として、モジュール内の寄生容量を低減させることで高周波ノイズを削減すること、垂直型の電流検出抵抗や温度センサを組み込むことで省スペース化と機能向上を両立させること、および磁性コンポーネントの統合設計により全体の体積削減を実現することなどが報告されています。これらの技術は、電動車両や航空機などの次世代電源システムに必要とされる高効率・高密度な電力変換を実現する基盤となります。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（40 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1109/apec51134.2026.11516946
- DOI: https://doi.org/10.1109/apec51134.2026.11516645
- [2026] Active Gate Driver with a Current Source to Reduce Surge and Turn-on Switching Losses in SiC-MOSFETsDOI: https://doi.org/10.1541/ieejjia.20250462
- DOI: https://doi.org/10.1109/apec51134.2026.11517164
- DOI: https://doi.org/10.1109/apec51134.2026.11516721
- DOI: https://doi.org/10.1109/apec51134.2026.11516969
- DOI: https://doi.org/10.1109/icrera66237.2025.11284003
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- DOI: https://doi.org/10.1109/icrera66237.2025.11283819
- DOI: https://doi.org/10.1109/tpel.2025.3617463
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecce-europe62795.2025.11238763
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecce-europe62795.2025.11238549
- DOI: https://doi.org/10.23919/ispsd62843.2025.11118058
- DOI: https://doi.org/10.1109/icsj66986.2025.11302701
- [2025] Stacked-Plate Heatsink Design for Effective Thermal Management of Power Semiconductor ModulesDOI: https://doi.org/10.1109/icrera66237.2025.11283739
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecce-asia63110.2025.11112121
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- [2023] Fixed Frequency Operation in Critical Conduction Mode with Voltage-Controlled Variable InductorDOI: https://doi.org/10.1109/ecce53617.2023.10362859
- DOI: https://doi.org/10.1109/tie.2022.3198235
- DOI: https://doi.org/10.1541/ieejjia.22006987
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecce50734.2022.9947578
- DOI: https://doi.org/10.23919/ipec-himeji2022-ecce53331.2022.9806865
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