Toru Ujihara 研究室
主宰者：Toru Ujihara
名古屋大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
本研究室は、結晶成長プロセスの制御と材料設計を中心に研究を展開しています。特に、シリコンカーバイド（SiC）などの半導体結晶の溶液成長における欠陥形成メカニズムの解明に力を入れています。数値シミュレーション手法（位相場モデルや計算流体力学）を用いて、結晶表面の微細構造や溶媒の混入といった成長過程の課題を調査し、それぞれの発生条件を明らかにしています。
同時に、機械学習や人工知能を活用した新しいプロセス最適化手法の開発にも取り組んでいます。シミュレーションと実験を統合し、遺伝アルゴリズムなどの最適化技術と組み合わせることで、複雑な成長パラメータの調整を効率的に実現しています。また、適応制御による時間依存型レシピの設計など、動的な環境変化への対応も進めています。
さらに本研究室では、結晶品質の評価技術や構造解析にも注力しています。走査透過電子顕微鏡による原子スケール観察、X線トポグラフィーによるその場観察、さらに光学的新手法を用いた評価方法の開発などを通じて、材料内部の欠陥や微細構造を可視化し、物性との関連性を調べています。これらの知見は、GaNやアルミナイトライドなど他の機能性セラミックスの設計にも応用されています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（48 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2025.114144
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.109258
- [2025] Determination of featured parameters for GaN surface morphologies by using a 2D growth simulationDOI: https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2025.114428
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.ps-11-08
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.cgd.3c01476
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127609
- DOI: https://doi.org/10.1107/s1600576724006381
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.cgd.2c01194
- DOI: https://doi.org/10.1109/imfedk60983.2023.10366335
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- DOI: https://doi.org/10.1002/adts.202300218
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c04175
- DOI: https://doi.org/10.1107/s2053273323089921
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.cgd.2c01512
- DOI: https://doi.org/10.1162/neco_a_01550
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.167915
- DOI: https://doi.org/10.1002/adts.202200302
- DOI: https://doi.org/10.1002/adts.202200204
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.cgd.2c00075
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0079925
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsomega.1c06018
- DOI: https://doi.org/10.1039/d0ce01824d
- DOI: https://doi.org/10.1039/d1ce00106j
- DOI: https://doi.org/10.2139/ssrn.3844697
- DOI: https://doi.org/10.2139/ssrn.3762210
- DOI: https://doi.org/10.2109/jcersj2.21143
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126448
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126425
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mtla.2021.101246
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0063082
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2021.114326
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.cgd.1c00398
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2021.115281
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.1c01831
- DOI: https://doi.org/10.1103/physrevlett.126.125501
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.0c11109
- [2021] Detection and classification of dislocations in GaN by optical microscope using birefringenceDOI: https://doi.org/10.1117/12.2577164
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.actamat.2021.116746
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