Yoshio Honda 研究室
主宰者：Yoshio Honda
名古屋大学・Nagoya University Hospital
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
本研究室は、窒化物系半導体材料の成長・製造技術と、それらを用いたデバイス開発に取り組んでいます。研究の中心は、ガリウム窒化物（GaN）、アルミニウム窒化物（AlN）、およびこれらの化合物に関連する材料の結晶成長です。金属有機気相成長法やスパッタエピタキシーなど複数の製造手法を駆使して、高品質な薄膜の形成条件を探索し、不純物や欠陥を低減する技術を開発しています。
これらの材料を応用したデバイス開発も重要な研究領域です。特に、高温環境での動作が求められる中性子検出器向けのBGaN（ボロンガリウム窒化物）、紫外線レーザーダイオード、電力変換用パワーデバイス（ショットキーダイオードやトランジスタ）などの研究が進められています。また、半導体の微細構造を高精度で観察する電子顕微鏡技術の開発や、新しい基板加工方法の開発も行っており、デバイス性能向上と製造コスト削減の両面から課題解決を図っています。
さらに、材料内の原子配置や欠陥の構造を理解することにも力を入れています。マグネシウム添加による伝導性制御、炭素や錫などのドーパントの挙動、さらには新規な層状化合物の形成メカニズムを、分光計測や理論解析を組み合わせて明らかにしています。こうした基礎研究成果は、次世代の高機能半導体デバイスの実現につながると期待されています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（100 件）
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- DOI: https://doi.org/10.1117/12.3041549
- DOI: https://doi.org/10.1002/pssb.202500028
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- DOI: https://doi.org/10.1109/nss/mic/rtsd57106.2025.11287438
- DOI: https://doi.org/10.1002/advs.202509354
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- DOI: https://doi.org/10.18494/sam4647
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126173
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac06b5
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac0fb6
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac0ffa
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- DOI: https://doi.org/10.1109/led.2021.3131057
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0076764
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac3a1d
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2021.3119528
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