Gowoon Kim 研究室

主宰者：Gowoon Kim
北海道大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

Gowoon Kim研究室では、酸素欠損工学を利用した遷移金属酸化物の機能制御に関する研究を展開しています。金属酸化物に含まれる酸素の量や欠損位置を制御することで、材料の電気的性質や光学特性を自在に変えられることに着目し、この原理を応用した新しい材料設計を行っています。具体的には、タングステン酸化物やバナジウム二酸化物、銅酸化物などの薄膜を製造し、X線分析や顕微鏡観察、理論計算を組み合わせて、原子スケールでの構造変化と物性の関係を解明しています。 特に注目しているのは、酸素空孔が一次元的に配列した構造を持つ薄膜材料です。このような特異な構造により、通常は見られない異方的な電気伝導性や可逆的な性質変化が生じることを報告しています。また電気化学的な手法を用いて、固体状態のまま酸素量を増減させ、常温で絶縁体から金属への転移や、超伝導特性の制御が可能なことを実証しています。これらの知見は、情報記憶デバイスやスマートウィンドウなど、環境に応じて特性が変わる新しい電子材料の開発につながる可能性があります。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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