Kasidit Toprasertpong 研究室
主宰者:Kasidit Toprasertpong
東京大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
本研究室は、超微細な半導体材料・デバイスを用いた光通信および情報処理システムの開発に取り組んでいます。特に、シリコン上に成膜されたゲルマニウムを用いた光検出器や、酸化インジウムなどの薄膜トランジスタ、および強誘電体材料などが研究対象です。これらのデバイスを集積化し、光信号の処理や記憶機能の実現を目指しています。
光デバイスの分野では、複数の光導波路から同時に信号を受け取ることができるマルチポート型光検出器の開発に注力しており、大規模な光行列演算プロセッサへの応用を目指しています。並行して、薄膜トランジスタについては、原子層成膜法によるナノメートル級の薄い酸化物チャネル層の電気特性向上と安定性改善に関する研究を進めています。さらに、強誘電体材料の分極ダイナミクスを活用した物理リザーバコンピューティング(時系列データ処理のための低消費電力計算システム)や非揮発性メモリデバイスの研究も展開しており、デバイス内部に生じる複雑な物理現象の理解と制御を通じて、次世代電子デバイスの実現を目指しています。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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- [2026] High-output-current, high-speed Ge-on-Si waveguide photodetector with four-port evanescent couplingDOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae34bb
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae4ef3
- [2026] Oxygen-Passivated (O-PAS) Interfacial Layer for Ultra-Scaled (CET 0.97 nm) High-k Gate StacksDOI: https://doi.org/10.1109/edtm65772.2026.11497498
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2025.3647606
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0306730
- DOI: https://doi.org/10.1364/ofc.2026.th3f.8
- DOI: https://doi.org/10.1007/s11432-025-4372-4
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/adfae1
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/adf372
- DOI: https://doi.org/10.1364/ome.568607
- DOI: https://doi.org/10.1109/led.2025.3587706
- DOI: https://doi.org/10.23919/oecc/psc62146.2025.11109756
- DOI: https://doi.org/10.23919/oecc/psc62146.2025.11111422
- DOI: https://doi.org/10.23919/vlsitechnologyandcir65189.2025.11074900
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- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ada6bf
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2025.3603984
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- DOI: https://doi.org/10.1364/cleo_si.2025.ss181_3
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- DOI: https://doi.org/10.1109/ecoc66593.2025.11263386
- DOI: https://doi.org/10.1109/ecoc66593.2025.11263031
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.n-6-01
- DOI: https://doi.org/10.1126/sciadv.aea3538
- DOI: https://doi.org/10.1109/ipc65510.2025.11282019
- DOI: https://doi.org/10.1109/ipc65510.2025.11282352
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- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.b-5-03
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/adb4fa
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.a-3-01
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.b-4-03
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.g-1-01
- DOI: https://doi.org/10.35848/1882-0786/ade199
- DOI: https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46783.2024.10631369
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad9f70
- DOI: https://doi.org/10.1380/vss.67.545
- DOI: https://doi.org/10.17023/nrvc-ry16
- DOI: https://doi.org/10.1109/iedm50854.2024.10873474
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- [2024] (Invited) Mobility Enhancement Technology of Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator Channel MosfetsDOI: https://doi.org/10.1149/11402.0003ecst
- DOI: https://doi.org/10.1109/sispad62626.2024.10733331
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.b-8-01
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.a-6-03
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.b-5-02
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.a-6-04
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.e-3-04
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- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2024-01301495mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2024.3434782
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2024.3433835
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- DOI: https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46783.2024.10631344
- DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2024.3385395
- DOI: https://doi.org/10.1109/jlt.2024.3383724
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad2656
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad2133
- DOI: https://doi.org/10.1364/ofc.2024.tu3f.6
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- DOI: https://doi.org/10.1109/snw63608.2024.10639235
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- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2023-02301515mtgabs
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- DOI: https://doi.org/10.1109/iedm45741.2023.10413726
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad189b
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