Takuya Hamada 研究室

主宰者：Takuya Hamada
東京工業大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、層状二硫化物薄膜（モリブデン硫化物やタングステン硫化物など）の電気的特性を向上させることに取り組んでいます。特に、スパッタリング法によって基板上に薄膜を成膜し、プラズマ処理や硫黄蒸気焼成などの後処理を組み合わせることで、キャリア濃度の制御と結晶性の改善を実現する手法を開発しています。これらのプロセスを通じて、n型およびp型の両方のドーピングを達成し、電気伝導度やゼーベック係数などの熱電特性を大幅に向上させています。 得られた薄膜は、集積回路の小型化・低消費電力化に向けた新規デバイス材料として活用されています。具体的には、薄膜トランジスタやセンサー、そして熱電発電素子（余熱を電力に変換するエネルギーハーベスター）への応用を想定した性能評価が進められています。また、超微細技術ノード（1～3nm世代）に対応した次世代CMOS回路用のp型MOSFETデバイス構造の実現にも成功しており、層状二硫化物がシリコンに代わる有望な半導体材料となることを示しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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