Takamitsu Ishiyama 研究室
主宰者:Takamitsu Ishiyama
筑波大学
AI 要約(直近 5 年の研究成果)
この研究室は、安価で大量生産できるガラスなどの絶縁基板の上に、高性能な半導体薄膜を低温で合成することに取り組んでいます。特にゲルマニウムやその合金を対象として、固相結晶化法やメタル誘起結晶化法といった手法を用いて、結晶粒を大きく成長させ、欠陥密度を低減させることに成功しています。得られた薄膜は、トランジスタなどの電子デバイスや太陽電池、熱電素子といった光・電子・エネルギー変換デバイスへの応用が期待されています。
材料合成だけでなく、機械学習やベイズ最適化といった計算手法も積極的に導入しています。複雑な成長条件の最適化や、電子顕微鏡データからの物性予測、さらには新規熱電材料の探索など、実験と計算を組み合わせた効率的な材料開発を推進しています。また、目的に応じた組成設計や不純物ドーピングの効果を、第一原理計算により理論的に解明する取り組みも行われています。
これらの研究を通じて、柔軟なデバイスや立体的な大規模集積回路など、次世代の電子機器の実現に向けた基盤技術を構築していることが特徴です。
※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果(45 件)
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- DOI: https://doi.org/10.1016/j.est.2026.121199
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2026.110493
- DOI: https://doi.org/10.1149/ma2025-02361730mtgabs
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2025.e-2-02
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0229016
- DOI: https://doi.org/10.1109/pvsc59419.2025.11132695
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2025.113581
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsaem.5c00826
- DOI: https://doi.org/10.1039/d5ce00061k
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- DOI: https://doi.org/10.36463/idw.2024.0367
- [2024] Multilayer Graphene Strips on Insulators Formed by Layer Exchange for Applications as InterconnectsDOI: https://doi.org/10.1021/acsanm.4c04902
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.k-6-03
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2024.k-7-05
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-024-70530-3
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.cgd.4c00196
- DOI: https://doi.org/10.1002/aelm.202300875
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-024-56282-0
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41427-024-00536-w
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2024.171973
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0190025
- DOI: https://doi.org/10.1063/5.0172322
- [2024] Thermoelectric properties of low-temperature-grown polycrystalline InAs1−<i>x</i>Sb<i>x</i> filmsDOI: https://doi.org/10.1063/5.0178996
- DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad13a1
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.e-7-04
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.m-6-01
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.e-8-02
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2023.m-4-04
- DOI: https://doi.org/10.1016/j.matdes.2023.112116
- [2023] High-electron mobility P-doped polycrystalline GeSn layers formed on insulators at low temperaturesDOI: https://doi.org/10.1063/5.0152677
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.cgd.3c00163
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsaelm.2c01381
- DOI: https://doi.org/10.1109/jeds.2023.3323776
- DOI: https://doi.org/10.1080/27660400.2022.2082235
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.2c14785
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.2c14152
- DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-022-19221-5
- DOI: https://doi.org/10.1021/acs.cgd.1c01083
- DOI: https://doi.org/10.1002/pssr.202270001
- DOI: https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c00997
- DOI: https://doi.org/10.1002/pssr.202100509
- DOI: https://doi.org/10.7567/ssdm.2021.k-6-03
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