Hiroaki Hanafusa 研究室

主宰者：Hiroaki Hanafusa
広島大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、半導体・電子デバイスの製造・評価に関わる革新的な測定技術と加工プロセスの開発に取り組んでいます。特に重視しているのは、ミリ秒やマイクロ秒単位の極めて短い時間スケールで発生する現象を、非接触で精密に計測することです。光の干渉を利用した温度測定法を中核技術として、ナノメートル単位の空間分解能を持ちながら、デバイス内部の三次元的な温度分布を時々刻々と捉える手法を開発しています。さらに機械学習を組み合わせることで、複雑な環境下でも自動かつ迅速に温度を推定できるシステムを構築しています。 応用面では、シリコンカーバイドなどのワイドバンドギャップ半導体デバイスの熱管理と性能評価が主要な課題となっています。インターフェースの熱抵抗測定、デバイス動作中の内部温度分布の可視化、急速熱処理プロセスの最適化といった問題に、開発した非接触測定法を適用しています。一方、大気圧プラズマジェットを用いた超高速エッチングや、パルス加熱による結晶性薄膜成長など、短時間で高温に達する加工技術の開発にも力を入れています。これらの測定技術と加工プロセスの融合により、次世代の省エネデバイス製造を支える基盤技術の確立を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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