T. Iizuka 研究室

主宰者：T. Iizuka
広島大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

Iizuka研究室は、半導体デバイスの電気的特性を正確に予測・制御する「コンパクトモデル」の開発と応用に取り組んでいます。コンパクトモデルとは、複雑な半導体内部の物理現象を簡潔な数式で表現したもので、回路設計の際のシミュレーションに用いられます。研究室では、高耐圧デバイスや多ゲート型トランジスタなど、様々な種類の半導体素子に対応したモデルの拡張を進めています。特に、デバイス内部の電位分布を基本変数として扱う物理的アプローチが重視されています。 研究の大きなテーマは、キャリア捕獲（トラップ）現象とその影響の解明と制御です。半導体内に存在するトラップは、デバイスの性能を低下させることもあれば、逆に活用することもできます。研究室では、トラップ密度をモデル化することで、RF回路の信号品質向上や電力損失の削減など、実際の応用につなげています。また、高温動作下での自己発熱効果やSOI（絶縁体上シリコン）素子の履歴効果といった現象も、回路シミュレーションとデバイスシミュレーションを組み合わせることで詳細に調査しています。 こうした基礎となるモデル開発の成果は、次世代電力素子（SiC MOSFET）の設計最適化や低電圧動作の実現にも活かされており、実用的な課題解決を目指した研究が展開されています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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