Hiroshi Kawarada 研究室

主宰者Hiroshi Kawarada
早稲田大学

AI 要約(直近 5 年の研究成果)

本研究室は、次世代パワーエレクトロニクスデバイスの実現に向けて、ダイヤモンドおよび窒化ガリウム(GaN)などの広禁止帯幅半導体材料の電子デバイス化に取り組んでいます。特にダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ(FET)やMOSFET、ならびにGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)の設計・製造・評価を中心に研究を進めています。これらの材料は優れた熱伝導性や耐圧性を持つため、電動車両やエネルギー変換システムなどの高電力密度応用に適しています。 研究手法としては、金属有機気相成長法などによるデバイス作製、シミュレーション解析、電気特性測定を組み合わせた総合的なアプローチを採用しています。具体的には、接触抵抗の低減、閾値電圧の制御、耐圧性の向上など、デバイス性能の実用化に向けた課題に取り組んでおり、多指構造やトレンチ構造といった微細加工技術も活用しています。また、水ゲートセンサーなどのバイオセンシング応用も探索しており、広禁止帯幅半導体の多面的な活用を目指しています。 これらの研究を通じて、単一デバイスの高性能化のみならず、相補的なn型・p型デバイスの統合による次世代型パワーエレクトロニクス回路の実現を目指しており、電子機器の小型化・高効率化に貢献することを目標としています。

※ AI(Claude)が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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