Akinobu Teramoto 研究室

主宰者：Akinobu Teramoto
広島大学

AI 要約（直近 5 年の研究成果）

本研究室は、半導体デバイスの性能と信頼性を向上させるための材料・プロセス開発に取り組んでいます。特に、窒化ガリウム（GaN）やモリブデンジサルファイド（MoS₂）などの化合物半導体に着目し、金属との接触特性の改善、不純物ドーピング、欠陥修復などの課題に向き合っています。GaN電界効果トランジスタでは、浮遊ゲート構造を用いたしきい値電圧の制御手法を開発し、安全な素子動作を実現する研究を進めています。 一方、薄膜作製プロセスの精密化も重点課題です。原子層成膜法による選択的成膜技術、硫黄蒸気アニーリングを用いた欠陥修復、窒素ドーピングによる電気特性制御など、化学的・熱的処理を通じて材料品質を向上させています。これらの技術開発では、顕微鏡観察や分光分析などの詳細な評価手法を用いて、微視的な界面構造と電気特性の関係を明らかにしています。 さらに、スピントロニクスメモリやディスプレイ検査システムなど、実用デバイスの信頼性向上にも貢献しています。磁気トンネル接合の動作特性評価やマイクロLEDの非接触検査法の開発を通じ、次世代電子デバイスの製造歩留まり改善を目指しています。

※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。

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