Hideyuki Kikuchihara 研究室
主宰者：Hideyuki Kikuchihara
広島大学
AI 要約（直近 5 年の研究成果）
Hideyuki Kikuchihara研究室は、半導体デバイスの動作を正確に予測・設計するための数学的なモデル化に取り組んでいます。特に高電圧で動作するパワー半導体デバイスを対象として、デバイス内部の電位分布や電荷の移動を追跡し、それらがデバイスの電気的特性にどのように影響するかを解明しています。
研究の中心には「コンパクトモデル」という手法があります。これはデバイス内部の物理現象を簡潔な数式で表現し、実際の回路シミュレーションに組み込める方法です。研究室では、半導体内部に生じるキャリア（電荷担体）の捕捉、宇宙放射線による電荷生成、スイッチング時の寄生容量変化、さらには新しい漏れ電流など、様々な複雑な現象を統一的なモデル化の枠組みで扱っています。デバイス内部の電位を基本変数とした潜在的ベースのアプローチにより、多種多様な現象に対応可能な普遍的なモデルの構築を目指しています。
これらの研究成果は、宇宙環境での使用、放射線耐性回路の設計、高周波スイッチングによる電力損失の最適化など、実際のデバイス・回路設計の課題解決に直結しています。
※ AI（Claude）が、公開されている論文要旨から研究の問い・手法・主要な発見を事実情報として抽出・再構成して自動生成しています。誤りを含む可能性があるため、正確性は研究室公式情報でご確認ください。
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研究成果（6 件）
- DOI: https://doi.org/10.1109/icmc64879.2025.11102502
- DOI: https://doi.org/10.1109/icmc64879.2025.11102594
- DOI: https://doi.org/10.1109/isdcs52006.2021.9397903
- DOI: https://doi.org/10.1109/access.2021.3056467
- DOI: https://doi.org/10.1109/sispad54002.2021.9592591
- DOI: https://doi.org/10.1109/isdcs52006.2021.9397904
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